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SIDC01D120H6

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIDC01D120H6
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    SIDC01D120H6.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.6V @ 600mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    Sawn on foil
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    SP000013831
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1200V 600mA (DC) Surface Mount Sawn on foil
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    27µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    600mA (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
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SID1152K-TL

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SID1183K

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Descripción: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SIDC02D60F6X1SA1

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SIDC06D120E6X1SA3

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SID1182K-TL

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
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SIDC02D60C6X1SA4

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SIDC03D60F6X1SA2

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SIDC01D60C6

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Descripción: DIODE GEN PURP WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SID1182KQ

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Descripción: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

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