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4237513Imagen SID1182KPower Integrations

SID1182K

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SID1182K
  • Fabricante / Marca
    Power Integrations
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SID1182K.pdf
  • Suministro de voltaje
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Voltaje - Aislamiento
    5000Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    -
  • Tecnología
    Magnetic Coupling
  • Paquete del dispositivo
    eSOP-R16B
  • Serie
    SCALE-iDriver™
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    90ns, 81ns
  • Ancho de pulso Distorsión (máx.)
    -
  • Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)
    340ns, 330ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • Otros nombres
    1810-1071
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    8A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
  • Corriente - Salida Pico
    8A
  • Actual - salida alta, bajo
    3.6A, 4A
  • Inmunidad transitoria en modo común (Min)
    -

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

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Descripción: DIODE GEN PURP WAFER

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Descripción: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: DGTL ISO GATE DRVR

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: DGTL ISO GATE DRVR

Fabricantes: Power Integrations
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SID1182K-TL

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

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Descripción: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Fabricantes: Power Integrations
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Descripción: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Fabricantes: Power Integrations
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SID1112K-TL

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Descripción: DGTL ISO GATE DRVR

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SIDC03D120F6X1SA1

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

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Descripción: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

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