DTA114WSATP

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Especificaciones

Número de pieza

DTA114WSATP
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DTA114WSATP.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SPT
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

SC-72 Formed Leads
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

24 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

DTA114

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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