DTC114ECAT116

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Especificaciones

Número de pieza

DTC114ECAT116
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTC114ECAT116.pdf
2.DTC114ECAT116.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SST3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

DTC114ECAT116-ND
DTC114ECAT116TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

50mA
Número de pieza base

DTC114

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Los siguientes son productos relacionados con "DTC114ECAT116".

DTC114EEFRATL

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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