DTC124GUAT106

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Especificaciones

Número de pieza

DTC124GUAT106
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTC124GUAT106.pdf
2.DTC124GUAT106.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

UMT3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

DTC124GUAT106DKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

DTC124

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Los siguientes son productos relacionados con "DTC124GUAT106".

DTC124XETL

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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