EMH4T2R

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Especificaciones

Número de pieza

EMH4T2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.EMH4T2R.pdf
2.EMH4T2R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

EMT6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

EMH4T2R-ND
EMH4T2RTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

*MH4

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EMH9T2R

Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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