IMB2AT110

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Especificaciones

Número de pieza

IMB2AT110
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IMB2AT110.pdf
2.IMB2AT110.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

SMT6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-74, SOT-457
Otros nombres

IMB2AT110-ND
IMB2AT110TR
SMT6/SC-74/SOT-457
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

MB2

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IMB26656M12

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Fabricantes: Crouzet

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