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6674585Imagen R6020ENZ1C9Rohm Semiconductor

R6020ENZ1C9

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2500+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6020ENZ1C9
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    R6020ENZ1C9.pdf
  • Voltaje - Prueba
    1400pF @ 25V
  • Tensión - Desglose
    TO-247
  • VGS (th) (Max) @Id
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    20A (Tc)
  • Polarización
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    17 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    R6020ENZ1C9
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    60nC @ 10V
  • Tipo de IGBT
    ±20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4V @ 1mA
  • Característica de FET
    N-Channel
  • Descripción ampliada
    N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    600V
  • relación de capacidades
    120W (Tc)

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