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2392578Imagen R6020KNZ1C9LAPIS Semiconductor

R6020KNZ1C9

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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6020KNZ1C9
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    NCH 600V 20A POWER MOSFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    231W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    R6020KNZ1C9TR
    R6020KNZ1C9TR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    13 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1550pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 20A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020KNX

R6020KNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020ENX

R6020ENX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Descripción: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Fabricantes: Rohm Semiconductor
Existencias disponibles
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020FNX

R6020FNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020ANX

R6020ANX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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