R6020KNZ1C9

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Especificaciones

Número de pieza

R6020KNZ1C9
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NCH 600V 20A POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6020KNZ1C9.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

196 mOhm @ 9.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

231W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

R6020KNZ1C9TR
R6020KNZ1C9TR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 20A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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R6020ENZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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