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192254Imagen R6020ENZC8LAPIS Semiconductor

R6020ENZC8

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1000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6020ENZC8
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    R6020ENZC8.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-3PF
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    120W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3P-3 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    17 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

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