RBQ10NS65AFHTL

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Especificaciones

Número de pieza

RBQ10NS65AFHTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE (RECTIFIER FRD) 65V-VRM 65
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RBQ10NS65AFHTL.pdf
2.RBQ10NS65AFHTL.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

690mV @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

65V
Paquete del dispositivo

LPDS
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

RBQ10NS65AFHTLDKR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 65V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente - Fuga inversa a Vr

70µA @ 65V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

10A

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RBQ10NS45AFHTL

Descripción: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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RBQ10NS65AFHTL

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