RCX081N20

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Especificaciones

Número de pieza

RCX081N20
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 8A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RCX081N20.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.25V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FM
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

770 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.23W (Ta), 40W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

RCX081N20CT
RCX081N20CT-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 8A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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RCX051N25

Descripción: MOSFET N-CH 250V 5A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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