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6253905Imagen RGW80TS65GC11LAPIS Semiconductor

RGW80TS65GC11

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$2.44
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Especificaciones
  • Número de pieza
    RGW80TS65GC11
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RGW80TS65GC11.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    400V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    44ns/143ns
  • Cambio de Energía
    760µJ (on), 720µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    214W
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    15 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    110nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 78A 214W Through Hole TO-247N
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    160A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    78A

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Descripción: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

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Descripción: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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