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2315602Imagen RW1A013ZPT2RLAPIS Semiconductor

RW1A013ZPT2R

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RW1A013ZPT2R
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RW1A013ZPT2R.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-WEMT
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    400mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    RW1A013ZPT2RCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    12V
  • Descripción detallada
    P-Channel 12V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

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