RW1C020UNT2R

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Especificaciones

Número de pieza

RW1C020UNT2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RW1C020UNT2R.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WEMT
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

RW1C020UNT2R-ND
RW1C020UNT2RTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 2A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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RW1A030APT2CR

Descripción:

Fabricantes: ROHM

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