RW1C025ZPT2CR

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Especificaciones

Número de pieza

RW1C025ZPT2CR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RW1C025ZPT2CR.pdf
2.RW1C025ZPT2CR.pdf
3.RW1C025ZPT2CR.pdf
4.RW1C025ZPT2CR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WEMT
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

RW1C025ZPT2CRDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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RW1E025RPT2CR

Descripción: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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