SP8M6FRATB

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Especificaciones

Número de pieza

SP8M6FRATB
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SP8M6FRATB.pdf
2.SP8M6FRATB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SP8M6FRATBCT
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta), 3.5A (Ta)

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SP8M2FU6TB

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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