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3999611Imagen TT8K11TCRLAPIS Semiconductor

TT8K11TCR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TT8K11TCR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.TT8K11TCR.pdf
    2.TT8K11TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1A
  • Paquete del dispositivo
    8-TSST
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    71 mOhm @ 3A, 10V
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Otros nombres
    TT8K11TCRTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2.5nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3A 1W Surface Mount 8-TSST
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    3A

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