TT8J1TR

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Especificaciones

Número de pieza

TT8J1TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TT8J1TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-TSST
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

61 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Potencia - Max

1.25W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A
Número de pieza base

*J1

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TT8J3TR

Descripción: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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