TT8U1TR

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Especificaciones

Número de pieza

TT8U1TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TT8U1TR.pdf
2.TT8U1TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSST
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.7nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta)

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Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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