US6J2TR

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Especificaciones

Número de pieza

US6J2TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

US6J2TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Paquete del dispositivo

TUMT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

390 mOhm @ 1A, 4.5V
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A
Número de pieza base

*J2

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