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5661462Imagen US6M1TRLAPIS Semiconductor

US6M1TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    US6M1TR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.US6M1TR.pdf
    2.US6M1TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Paquete del dispositivo
    TUMT6
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    240 mOhm @ 1.4A, 10V
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-SMD, Flat Leads
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    70pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V, 20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.4A, 1A
  • Número de pieza base
    6M1

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Descripción: ACS LPSJ 60A 2 POLE ASSEMBLY KIT

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: SENSOR 500PSIG 1/4NPT 4-20MA 2'

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Descripción: TRANS PNP 12V 3A TUMT6

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