US6M11TR

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Especificaciones

Número de pieza

US6M11TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.US6M11TR.pdf
2.US6M11TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

UMT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max

1W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

US6M11DKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V, 12V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A, 1.3A
Número de pieza base

*M11

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US6T9TR

Descripción: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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