DN3535N8-G

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Especificaciones

Número de pieza

DN3535N8-G
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DN3535N8-G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-243AA (SOT-89)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 Ohm @ 150mA, 0V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Otros nombres

DN3535N8-GCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

350V
Descripción detallada

N-Channel 350V 230mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Tj)

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DN3135N8-G

Descripción: MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3

Fabricantes: Micrel / Microchip Technology

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