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DN3765K4-G

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2000+
$1.932
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Especificaciones
  • Número de pieza
    DN3765K4-G
  • Fabricante / Marca
    Micrel / Microchip Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DN3765K4-G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-252-3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8 Ohm @ 150mA, 0V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.5W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    DN3765K4-G-ND
    DN3765K4-GTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    825pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    Depletion Mode
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    300mA (Tj)

Microchip Introduces Quantum-Resistant 64-Bit RISC-V Proces...

24/10/2024
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