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DN3135K1-G

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Especificaciones

Número de pieza

DN3135K1-G
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DN3135K1-G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

35 Ohm @ 150mA, 0V
La disipación de energía (máximo)

360mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

DN3135K1-GCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

350V
Descripción detallada

N-Channel 350V 72mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

72mA (Tj)

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PMF400UN,115

Descripción: MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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