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909608Imagen 1N4448-TPMicro Commercial Components (MCC)

1N4448-TP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4448-TP
  • Fabricante / Marca
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1N4448-TP.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    75V
  • Paquete del dispositivo
    DO-35
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Otros nombres
    1N4448TP
    1N4448TPMSCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -50°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 75V 150mA Through Hole DO-35
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 75V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    150mA
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    1N4448

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Fabricantes: Diodes Incorporated
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1N4448-T

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor Corp
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

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