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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT40A1G8WE-075E:B TR

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Imagen MT40A1G8WE-075E:B TR

Micron Technology

MT40A1G8WE-075E:B TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT40A1G8WE-075E:B TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MT40A1G8WE-075E:B TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.26 V
Tecnología

SDRAM - DDR4
Paquete del dispositivo

78-FBGA (8x12)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

78-TFBGA
Otros nombres

557-1726-2
MT40A1G8WE-075E:B TR-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

8Gb (1G x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.33GHz 78-FBGA (8x12)
Frecuencia de reloj

1.33GHz

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Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8WE-075E AIT:B

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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