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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > 2N6987

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Microsemi

2N6987

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Especificaciones

Número de pieza

2N6987
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

2N6987.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor

4 PNP (Quad)
Paquete del dispositivo

TO-116
Serie

-
Potencia - Max

1.5W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

14-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole TO-116
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

600mA

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