APT12057JLL

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Especificaciones

Número de pieza

APT12057JLL
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227
Serie

POWER MOS 7®
RDS (Max) @Id, Vgs

570 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

520W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

290nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 19A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APT12057JLL".

APT11N80KC3G

Descripción: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Fabricantes: Microsemi

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