APT13GP120BDQ1G

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Especificaciones

Número de pieza

APT13GP120BDQ1G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 41A 250W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT13GP120BDQ1G.pdf
2.APT13GP120BDQ1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A
Condición de prueba

600V, 13A, 5 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

9ns/28ns
Cambio de Energía

115µJ (on), 165µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 7®
Potencia - Max

250W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

APT13GP120BDQ1GMI
APT13GP120BDQ1GMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
puerta de carga

55nC
Descripción detallada

IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

50A
Corriente - colector (Ic) (Max)

41A

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APT13005TF-G1

Descripción: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

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