APT5010B2LLG

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Especificaciones

Número de pieza

APT5010B2LLG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT5010B2LLG.pdf
2.APT5010B2LLG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

T-MAX™ [B2]
Serie

POWER MOS 7®
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 23A, 10V
La disipación de energía (máximo)

520W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

95nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

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APT47N60SC3G

Descripción: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Fabricantes: Microsemi

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