APT50M65B2FLLG

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Especificaciones

Número de pieza

APT50M65B2FLLG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT50M65B2FLLG.pdf
2.APT50M65B2FLLG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

T-MAX™ [B2]
Serie

POWER MOS 7®
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 33.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

694W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

23 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7010pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

141nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 67A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

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APT50GT60BRDQ2G

Descripción: IGBT 600V 110A 446W TO247

Fabricantes: Microsemi

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