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Imagen APT60M80L2VRG

Microsemi

APT60M80L2VRG

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Especificaciones

Número de pieza

APT60M80L2VRG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT60M80L2VRG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

264 MAX™ [L2]
Serie

POWER MOS V®
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 32.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

833W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

590nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 65A (Tc) 833W (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

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