APT60M75JLL

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Especificaciones

Número de pieza

APT60M75JLL
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT60M75JLL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 7®
RDS (Max) @Id, Vgs

75 mOhm @ 29A, 10V
La disipación de energía (máximo)

595W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8930pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

195nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 58A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APT60M75JLL".

APT60GF60JU3

Descripción: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Fabricantes: Microsemi

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