APT60N60BCSG

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Especificaciones

Número de pieza

APT60N60BCSG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT60N60BCSG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 3mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 [B]
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 44A, 10V
La disipación de energía (máximo)

431W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

190nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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APT60S20SG/TR

Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Fabricantes: Microsemi Corporation

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