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6207846Imagen APT75GP120B2GMicrosemi

APT75GP120B2G

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$25.361
30+
$23.305
120+
$21.66
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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT75GP120B2G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APT75GP120B2G.pdf
    2.APT75GP120B2G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 75A
  • Condición de prueba
    600V, 75A, 5 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    20ns/163ns
  • Cambio de Energía
    1620µJ (on), 2500µJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potencia - Max
    1042W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3 Variant
  • Otros nombres
    APT75GP120B2GMI
    APT75GP120B2GMI-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    23 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • puerta de carga
    320nC
  • Descripción detallada
    IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    300A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100A

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