APTGT35H120T1G

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Especificaciones

Número de pieza

APTGT35H120T1G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTGT35H120T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
Potencia - Max

208W
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

2.5nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
Descripción detallada

IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1
Corriente - corte del colector (Max)

250µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

55A
Configuración

Full Bridge Inverter

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Los siguientes son productos relacionados con "APTGT35H120T1G".

APTGT30TL601G

Descripción: MOD IGBT 600V 50A SP1

Fabricantes: Microsemi

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