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APTGT35H120T1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTGT35H120T1G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTGT35H120T1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Paquete del dispositivo
    SP1
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    208W
  • Paquete / Cubierta
    SP1
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • termistor NTC
    Yes
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    2.5nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descripción detallada
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1
  • Corriente - corte del colector (Max)
    250µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    55A
  • Configuración
    Full Bridge Inverter

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