APTM20AM10STG

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Especificaciones

Número de pieza

APTM20AM10STG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM20AM10STG.pdf
2.APTM20AM10STG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 5mA
Paquete del dispositivo

SP4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 87.5A, 10V
Potencia - Max

694W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP4
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

224nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 175A 694W Chassis Mount SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

175A

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APTM20DHM08G

Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

Fabricantes: Microsemi

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