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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N5617
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2755038Imagen JAN1N5617Microsemi

JAN1N5617

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5617
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.6V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    A, Axial
  • Otros nombres
    1086-2106
    1086-2106-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500nA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5618

JAN1N5618

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5622

JAN1N5622

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5558

JAN1N5558

Descripción: TVS DIODE 175V 265V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5614

JAN1N5614

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5611

JAN1N5611

Descripción: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5620

JAN1N5620

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5615

JAN1N5615

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5616

JAN1N5616

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5621

JAN1N5621

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5610

JAN1N5610

Descripción: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5619

JAN1N5619

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5612

JAN1N5612

Descripción: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles

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