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JAN1N5618US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5618US
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    D-5A
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2µs
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, A
  • Otros nombres
    1086-2109
    1086-2109-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 200°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500nA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5614

JAN1N5614

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5623

JAN1N5623

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5621

JAN1N5621

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5612

JAN1N5612

Descripción: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5620

JAN1N5620

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5618

JAN1N5618

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5615

JAN1N5615

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5616

JAN1N5616

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5617

JAN1N5617

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5622

JAN1N5622

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
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JAN1N5619

JAN1N5619

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
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