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JAN1N5621

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5621
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N5621.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    A, Axial
  • Otros nombres
    1086-2112
    1086-2112-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    300ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    JAN1N5621
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • configuración de diodo
    500nA @ 800V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.6V @ 3A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    800V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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