JANTXV1N5550

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Especificaciones

Número de pieza

JANTXV1N5550
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JANTXV1N5550.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.2V @ 9A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/420
Tiempo de recuperación inversa (trr)

2µs
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

B, Axial
Otros nombres

1086-2817
1086-2817-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 5A Through Hole
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

5A
Capacitancia Vr, F

-

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JANTXV1N5545CUR-1

Descripción: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi

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