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JANTXV1N649-1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANTXV1N649-1
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JANTXV1N649-1.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    400mA
  • Tensión - Desglose
    DO-35
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Otros nombres
    1086-15996
    1086-15996-MIL
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    JANTXV1N649-1
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • configuración de diodo
    50nA @ 600V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1V @ 400mA
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    600V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Fabricantes: Microsemi
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Fabricantes: Microsemi
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JANTXV1N6511

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Descripción: TVS DIODE 14CDIP

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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JANTXV1N6475

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Descripción: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
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RFQ
JANTXV1N6475US

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Descripción: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
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JANTXV1N6490

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Descripción: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricantes: Microsemi
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Fabricantes: Microsemi Corporation
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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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