JANTXV1N6624

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Especificaciones

Número de pieza

JANTXV1N6624
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 990V 1A D5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JANTXV1N6624.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.55V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

990V
Paquete del dispositivo

A-PAK
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/585
Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

A, Axial
Otros nombres

1086-3028
1086-3028-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 990V 1A Through Hole A-PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr

500nA @ 990V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

-

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JANTXV1N6623U

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation

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