JANTXV1N6628US

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Especificaciones

Número de pieza

JANTXV1N6628US
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JANTXV1N6628US.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.35V @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

660V
Paquete del dispositivo

D-5B
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/590
Tiempo de recuperación inversa (trr)

30ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SQ-MELF, E
Otros nombres

1086-3036
1086-3036-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B
Corriente - Fuga inversa a Vr

2µA @ 660V
Corriente - rectificada media (Io)

1.75A
Capacitancia Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

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