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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > JANTXV2N2219
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1946150Imagen JANTXV2N2219Microsemi

JANTXV2N2219

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANTXV2N2219
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 30V 0.8A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JANTXV2N2219.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    30V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.6V @ 50mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-205AD
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/251
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Otros nombres
    1086-3049
    1086-3049-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    23 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 800mA 800mW Through Hole TO-205AD
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    800mA

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