2SK303000L

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Especificaciones

Número de pieza

2SK303000L
Fabricante / Marca

Panasonic
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 8A UG-1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SK303000L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-G1
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

230 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 15W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

U-G1
Otros nombres

2SK303000LCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 8A (Tc) 1W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount U-G1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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2SK2995(F)

Descripción: MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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