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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR211000L
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UNR211000L

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Especificaciones
  • Número de pieza
    UNR211000L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Solicitar verificación de inventario / Solicitar verificación de inventario
  • Especificaciones
    UNR211000L.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    Mini3-G1
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    UNR211000LDKR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Request inventory verification / Request inventory verification
  • Frecuencia - Transición
    80MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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