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3677802Imagen SID1132K-TLPower Integrations

SID1132K-TL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SID1132K-TL
  • Fabricante / Marca
    Power Integrations
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SID1132K-TL.pdf
  • Suministro de voltaje
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Voltaje - Aislamiento
    5000Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    -
  • Tecnología
    Magnetic Coupling
  • Paquete del dispositivo
    eSOP-R16B
  • Serie
    SCALE-iDriver™
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    450ns, 450ns (Max)
  • Ancho de pulso Distorsión (máx.)
    -
  • Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)
    340ns, 330ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • Otros nombres
    1810-1072-2
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    2.5A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
  • Corriente - Salida Pico
    2.5A
  • Actual - salida alta, bajo
    1.2A, 1.3A
  • Inmunidad transitoria en modo común (Min)
    -

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Descripción: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SID1182K-TL

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SID1102K

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Descripción: DGTL ISO GATE DRVR

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SID1182K

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SID1132K

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
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SID1183K

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Descripción: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SIDC03D120F6X1SA1

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SID1183K-TL

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Descripción: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SID1112K-TL

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Descripción: DGTL ISO GATE DRVR

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SIDC02D60F6X1SA1

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SID1152K-TL

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
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SID1112K

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Descripción: DGTL ISO GATE DRVR

Fabricantes: Power Integrations
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SID1132KQ

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Descripción: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
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SID1152K

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Descripción: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
RFQ
SIDC02D60C6X1SA4

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SIDC01D60C6

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Descripción: DIODE GEN PURP WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SID1182KQ-TL

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Descripción: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
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SID1102K-TL

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Descripción: DGTL ISO GATE DRVR

Fabricantes: Power Integrations
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SID1182KQ

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Descripción: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Fabricantes: Power Integrations
Existencias disponibles
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SIDC01D120H6

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
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